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负载锁定式等离子CVD系统CC-200/400
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负载锁定式等离子CVD系统CC-200/400

27.12MHz的高密度等离子体工艺;支持SiH4(SiO2,SiNx,SiON,a-Si)和TEOS(SiO2)的沉积;通过CF4+O2等离子体维持腔室清洁;支持用于有机EL低温沉积的加热器;支持各种基材尺寸;C系列中间接顺序处理的真空启用盒(溅射:CS-200,蒸发:CV-200)。


负载锁定式等离子CVD系统CC-200/400

      描述:


      CC-200/400是一款紧凑且易于使用的研发和生产系统。


      特性:


      27.12MHz的高密度等离子体工艺


      支持SiH4(SiO2,SiNx,SiON,a-Si)和TEOS(SiO2)的沉积。


      通过CF4 + O2等离子体维持腔室清洁。


      支持用于有机EL低温沉积的加热器。


      支持各种基材尺寸。


      C系列中间接顺序处理的真空启用盒(溅射:CS-200,蒸发:CV-200)。


      应用:


      电源设备


      LED,LD和高速器件的化合物相关器件


      研发用有机EL系统


      研发用太阳能电池系统


      微机电系统(MEMS)



 


负载锁定式等离子CVD系统CC-200/400

      描述:


      CC-200/400是一款紧凑且易于使用的研发和生产系统。


      特性:


      27.12MHz的高密度等离子体工艺


      支持SiH4(SiO2,SiNx,SiON,a-Si)和TEOS(SiO2)的沉积。


      通过CF4 + O2等离子体维持腔室清洁。


      支持用于有机EL低温沉积的加热器。


      支持各种基材尺寸。


      C系列中间接顺序处理的真空启用盒(溅射:CS-200,蒸发:CV-200)。


      应用:


      电源设备


      LED,LD和高速器件的化合物相关器件


      研发用有机EL系统


      研发用太阳能电池系统


      微机电系统(MEMS)